晶圆获得极浅的原始杂质离子注入后,采用激光瞬间退火来激活杂质,并精确控制注入离子的峰值深度,保证注入杂质不发生明显的扩散再分布,获得合格的超浅结源漏区。
< 50nm 结深控制
低至 10nm 以内的峰值浓度深度控制
优异的杂质形貌分布和均匀性
WPH 高达 25
完整的全程监控反馈功能
背照式图像传感器晶圆
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